WSD30140DN56 کانال N 30V 85A DFN5*6-8 ماسفت WINSOK

WSD30140DN56 N-channel 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET تصویر ویژه

توضیحات کوتاه:

شماره مدل:WSD30140DN56

BVDSS:30 ولت

RDSON:1.7mΩ

شناسه:85A

کانال:کانال N

بسته:DFN5*6-8

خلاصه محصول:ولتاژ ماسفت WSD30140DN56 30 ولت، جریان 85 آمپر، مقاومت 1.7 mΩ، کانال N-channel و پکیج DFN5*6-8 است.

برنامه های کاربردی:سیگارهای الکترونیکی، شارژرهای بی‌سیم، هواپیماهای بدون سرنشین، مراقبت‌های پزشکی، شارژرهای خودرو، کنترل‌کننده‌ها، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی و غیره.

برای ما ایمیل بفرستید PDF

جزئیات محصول

برنامه

برچسب های محصول

توضیحات کلی

WSD30140DN56 بالاترین کارایی ترانچ ماسفت کانال N با تراکم سلولی بسیار بالا است که RDSON و شارژ گیت عالی را برای اکثر برنامه های کاربردی مبدل باک سنکرون ارائه می دهد. WSD30140DN56 با الزامات RoHS و محصول سبز مطابقت دارد، 100٪ تضمین EAS، قابلیت اطمینان عملکرد کامل تایید شده است.

ویژگی ها

فناوری پیشرفته ترنچ با تراکم سلولی بالا، شارژ گیت بسیار کم، تضعیف اثر CdV/dt عالی، 100% تضمین EAS، دستگاه های سبز موجود

برنامه های کاربردی

همگام سازی نقطه بار با فرکانس بالا، مبدل های باک، سیستم های برق شبکه ای DC-DC، برنامه های کاربردی ابزار الکتریکی، سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، هواپیماهای بدون سرنشین، مراقبت های پزشکی، شارژ خودرو، کنترلرها، محصولات دیجیتال، لوازم کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی

شماره مواد مربوطه

AO AON6312، AON6358، AON6360، AON6734، AON6792، AONS36314. در NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A، CSD17327Q5A، CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN، RS1E280BN، RS1E280GN، RS1E301GN، RS1E321GN، RS1E350BN، RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA، PK510BA. POTENS PDC3803R

پارامترهای مهم

نماد	پارامتر	رتبه بندی	واحدها
VDS	ولتاژ منبع تخلیه	30	V
VGS	ولتاژ دروازه-منبع	± 20	V
ID@TC=25℃	جریان تخلیه مداوم، VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	جریان تخلیه مداوم، VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	جریان تخلیه پالسی 2	300	A
PD@TC=25℃	اتلاف توان کل 4	50	W
TSTG	محدوده دمای ذخیره سازی	-55 تا 150	℃
TJ	محدوده دمای محل اتصال عملیاتی	-55 تا 150	℃

نماد	پارامتر	شرایط	حداقل	تایپ کنید	حداکثر	واحد
BVDSS	ولتاژ شکست منبع تخلیه	VGS=0V، ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	ضریب دمای BVDSS	ارجاع به 25℃، ID=1mA	---	0.02	---	V/℃
RDS(روشن)	منبع تخلیه استاتیک روی مقاومت 2	VGS=10V، ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(روشن)	منبع تخلیه استاتیک روی مقاومت 2	VGS=4.5V، ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS (امین)	ولتاژ آستانه دروازه	VGS=VDS، ID=250uA	1.2	1.7	2.5	V
	جریان نشتی منبع تخلیه	VDS=24V، VGS=0V، TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	جریان نشتی منبع تخلیه	VDS=24V، VGS=0V، TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	جریان نشتی دروازه-منبع	VGS=±20V، VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	انتقال رسانایی رو به جلو	VDS=5V، ID=20A	---	90	---	S
Qg	شارژ کل گیت (4.5 ولت)	VDS=15V، VGS=4.5V، ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	شارژ گیت منبع		---	9.5	---
Qgd	شارژ دریچه تخلیه		---	11.4	---
Td(روشن)	زمان تأخیر روشن کردن	VDD=15V، VGEN=10V، RG=3Ω، RL=0.75Ω.	---	11	---	ns
Tr	زمان ظهور		---	6	---
Td (خاموش)	زمان تاخیر خاموش کردن		---	38.5	---
Tf	زمان پاییز		---	10	---
سیس	ظرفیت ورودی	VDS=15V، VGS=0V، f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	ظرفیت خروجی		---	1280	---
Crss	ظرفیت انتقال معکوس		---	160	---