WSD30L88DN56 دو کانال P -30V -49A DFN5*6-8 ماسفت WINSOK

WSD30L88DN56 دو کانال P -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET تصویر ویژه

توضیحات کوتاه:

شماره مدل:WSD30L88DN56

BVDSS:30 ولت

RDSON:11.5mΩ

شناسه:-49A

کانال:دو کانال P

بسته:DFN5*6-8

خلاصه محصول:ولتاژ ماسفت WSD30L88DN56 -30V، جریان 49A، مقاومت 11.5mΩ، کانال Dual P-channel و بسته DFN5*6-8 است.

برنامه های کاربردی:سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، موتورها، پهپادها، مراقبت های پزشکی، شارژرهای خودرو، کنترلرها، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی.

برای ما ایمیل بفرستید PDF

جزئیات محصول

برنامه

برچسب های محصول

توضیحات کلی

WSD30L88DN56 بالاترین عملکرد ترانچ Dual P-Ch MOSFET با تراکم سلولی بسیار بالا است که RDSON و شارژ دروازه ای عالی را برای اکثر برنامه های کاربردی مبدل باک سنکرون ارائه می دهد. WSD30L88DN56 الزامات RoHS و Green Product را 100% EAS تضمین شده با قابلیت اطمینان کامل تایید شده برآورده می کند.

ویژگی ها

فناوری پیشرفته ترانچ با تراکم سلولی بالا، شارژ با گیت فوق العاده کم، کاهش اثر عالی CdV/dt، 100% تضمین EAS، دستگاه سبز موجود است.

برنامه های کاربردی

همزمان نقطه بار با فرکانس بالا، مبدل باک برای MB/NB/UMPC/VGA، شبکه برق DC-DC، سوئیچ بار، سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، موتورها، پهپادها، مراقبت های پزشکی، شارژر خودرو، کنترلر، دیجیتال محصولات، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی.

شماره مواد مربوطه

AOS

پارامترهای مهم

نماد	پارامتر	رتبه بندی	واحدها
VDS	ولتاژ منبع تخلیه	-30	V
VGS	ولتاژ دروازه-منبع	± 20	V
ID@TC=25℃	جریان تخلیه مداوم، VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	جریان تخلیه مداوم، VGS @ -10V1	-23	A
IDM	جریان تخلیه پالسی 2	-120	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	68	mJ
PD@TC=25℃	اتلاف توان کل 4	40	W
TSTG	محدوده دمای ذخیره سازی	-55 تا 150	℃
TJ	محدوده دمای محل اتصال عملیاتی	-55 تا 150	℃