WSD40120DN56 N-channel 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

محصولات

WSD40120DN56 N-channel 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

توضیح کوتاه:

شماره قطعه:WSD40120DN56

BVDSS:40 ولت

شناسه:120A

RDSON:1.85mΩ 

کانال:کانال N

پکیج:DFN5X6-8


جزئیات محصول

کاربرد

برچسب های محصول

نمای کلی محصول WINSOK MOSFET

ولتاژ ماسفت WSD40120DN56 40 ولت، جریان 120 آمپر، مقاومت 1.85 mΩ، کانال N-channel و بسته DFN5X6-8 است.

مناطق کاربردی WINSOK MOSFET

سیگارهای الکترونیکی ماسفت، ماسفت شارژ بی سیم، ماسفت پهپاد، ماسفت مراقبت های پزشکی، ماسفت شارژر خودرو، ماسفت کنترل کننده، ماسفت محصولات دیجیتال، ماسفت لوازم خانگی کوچک، ماسفت لوازم الکترونیکی مصرفی.

WINSOK MOSFET با سایر شماره های مواد برند مطابقت دارد

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF8MOSFET STL12N4LF4SHOSFET. PB.PANJIT MOSFET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS ماسفت نیمه هادی PDC496X.

پارامترهای ماسفت

سمبل

پارامتر

رتبه بندی

واحدها

VDS

ولتاژ منبع تخلیه

40

V

VGS

دروازه سوrولتاژ ce

±20

V

ID@TC=25

جریان تخلیه مداوم، VGS@ 10 ولت1،7

120

A

ID@TC=100

جریان تخلیه مداوم، VGS@ 10 ولت1،7

100

A

IDM

جریان تخلیه پالسی2

400

A

EAS

انرژی بهمن تک پالس3

240

mJ

IAS

جریان بهمن

31

A

PD@TC=25

اتلاف توان کل4

104

W

TSTG

محدوده دمای ذخیره سازی

-55 تا 150

TJ

محدوده دمای محل اتصال عملیاتی

-55 تا 150

 

سمبل

پارامتر

شرایط

حداقل

تایپ کنید

حداکثر

واحد

BVDSS

ولتاژ شکست منبع تخلیه VGS=0V، ID=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSضریب دمای ارجاع به 25، منD= 1 میلی آمپر

---

0.043

---

V/

RDS(روشن)

منبع تخلیه استاتیک بر روی مقاومت2 VGS=10V، ID=30A

---

1.85

2.4

mΩ

RDS(روشن)

منبع تخلیه استاتیک بر روی مقاومت2 VGS=4.5V، ID= 20 آمپر

---

2.5

3.3

VGS (امین)

ولتاژ آستانه گیت VGS=VDS، منD=250uA

1.5

1.8

2.5

V

VGS (امین)

VGS (امین)ضریب دمای

---

-6.94

---

mV/

IDSS

جریان نشتی منبع تخلیه VDS= 32 ولت، ولتGS= 0 ولت، TJ=25

---

---

2

uA

VDS= 32 ولت، ولتGS= 0 ولت، TJ=55

---

---

10

IGSS

جریان نشتی دروازه-منبع VGS=±20 ولت، ولتDS=0 ولت

---

---

±100

nA

gfs

انتقال رسانایی رو به جلو VDS= 5 ولت، ID= 20 آمپر

---

55

---

S

Rg

مقاومت دروازه VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz

---

1.1

2

Ω

Qg

شارژ کل گیت (10 ولت) VDS= 20 ولت، ولتGS= 10 ولت، ID= 10A

---

76

91

nC

Qgs

شارژ گیت منبع

---

12

14.4

Qgd

شارژ دریچه تخلیه

---

15.5

18.6

Td(روشن)

زمان تأخیر روشن کردن VDD= 30 ولت، ولتژنرال= 10 ولت، RG=1Ω، منD=1A،RL=15Ω.

---

20

24

ns

Tr

زمان برخاستن

---

10

12

Td (خاموش)

زمان تاخیر خاموش کردن

---

58

69

Tf

زمان سقوط

---

34

40

Ciss

ظرفیت ورودی VDS= 20 ولت، ولتGS=0V، f=1MHz

---

4350

---

pF

Coss

ظرفیت خروجی

---

690

---

Crss

ظرفیت انتقال معکوس

---

370

---


  • قبلی:
  • بعد:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید