WSD4098 دو کانال N 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

توضیحات کوتاه:

این یک پاوربانک بی سیم مغناطیسی است که به طور خودکار گوشی های اپل را شناسایی می کند و نیازی به فعال سازی دکمه ای ندارد. پروتکل های شارژ سریع 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC را ادغام می کند. این محصول یک پاوربانک بی‌سیم است که با مبدل‌های تقویت/کاهش همزمان تلفن همراه اپل/سامسونگ، مدیریت شارژ باتری لیتیوم، نشانگر برق لوله دیجیتال، شارژ بی‌سیم مغناطیسی و سایر عملکردها سازگار است.

شماره مدل:WSD4098

BVDSS:40 ولت

RDSON:7.8mΩ

شناسه:22A

کانال:دو کانال N

بسته:DFN5*6-8

خلاصه محصول:ولتاژ WSD4098 MOSFET 40V، جریان 22A، مقاومت 7.8mΩ، کانال Dual N-Channel و بسته DFN5*6-8 است.

برنامه های کاربردی:سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، موتورها، هواپیماهای بدون سرنشین، مراقبت های پزشکی، شارژرهای خودرو، کنترلرها، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی.

ارسال استعلام PDF

جزئیات محصول

برنامه

برچسب های محصول

توضیحات کلی

WSD4098DN56 بالاترین عملکرد ترانچ Dual N-Ch MOSFET با تراکم سلولی بسیار بالا است که RDSON و شارژ دروازه ای عالی را برای اکثر برنامه های کاربردی مبدل باک سنکرون ارائه می دهد. WSD4098DN56 الزامات RoHS و Green Product را 100% EAS تضمین شده با قابلیت اطمینان کامل تایید شده برآورده می کند.

ویژگی ها

فناوری پیشرفته ترانچ با تراکم سلولی بالا، شارژ بسیار کم دروازه، کاهش عالی اثر CdV/dt، 100% تضمین EAS، دستگاه سبز موجود

برنامه های کاربردی

همزمان نقطه بار با فرکانس بالا، مبدل باک برای MB/NB/UMPC/VGA، سیستم برق DC-DC شبکه، سوئیچ بار، سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، موتورها، پهپادها، مراقبت های پزشکی، شارژر خودرو، کنترلرها، دیجیتال محصولات، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی.

شماره مواد مربوطه

AOS AON6884

پارامترهای مهم

نماد	پارامتر		رتبه بندی	واحد
رتبه بندی های رایج
VDSS	ولتاژ منبع تخلیه		40	V
VGSS	ولتاژ دروازه-منبع		± 20	V
TJ	حداکثر دمای محل اتصال		150	درجه سانتی گراد
TSTG	محدوده دمای ذخیره سازی		-55 تا 150	درجه سانتی گراد
IS	جریان رو به جلو پیوسته دیود	TA=25 درجه سانتیگراد	11.4	A
ID	جریان تخلیه مداوم	TA=25 درجه سانتیگراد	22	A
ID	جریان تخلیه مداوم			A
		TA=70 درجه سانتی گراد	22
من DM ب	جریان تخلیه پالس تست شده است	TA=25 درجه سانتیگراد	88	A
PD	حداکثر اتلاف نیرو	T. =25 درجه سانتیگراد	25	W
PD	حداکثر اتلاف نیرو	TC=70 درجه سانتی گراد	10	W
RqJL	مقاومت حرارتی - اتصال به سرب	حالت پایدار	5	°C/W
RqJA	مقاومت حرارتی - اتصال به محیط	t 10 پوند	45	°C/W
RqJA	مقاومت حرارتی - اتصال به محیط	حالت پایدار ب	90	°C/W
من AS d	جریان بهمنی، تک پالس	L=0.5mH	28	A
E AS د	انرژی بهمن، تک پالس	L=0.5mH	39.2	mJ

نماد	پارامتر	شرایط آزمون		حداقل	تایپ کنید	حداکثر	واحد
ویژگی های استاتیک
BVDSS	ولتاژ شکست منبع تخلیه	VGS=0V، IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	جریان تخلیه ولتاژ دروازه صفر	VDS=32V، VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	جریان تخلیه ولتاژ دروازه صفر						mA
			TJ=85 درجه سانتیگراد	-	-	30
VGS (امین)	ولتاژ آستانه دروازه	VDS=VGS، IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	جریان نشتی گیت	VGS=±20V، VDS=0V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) e	مقاومت در حالت منبع تخلیه	VGS=10V، IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	مقاومت در حالت منبع تخلیه	VGS=4.5V، IDS=12A		-	9.0	11	m W
ویژگی های دیود
V SD e	ولتاژ جلو دیود	ISD=1A، VGS=0V		-	0.75	1.1	V
trr	زمان بازیابی معکوس	ISD=20A، dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	شارژ بازیابی معکوس	ISD=20A، dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
خصوصیات دینامیکی f
RG	مقاومت دروازه	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
سیس	ظرفیت ورودی	VGS=0V، VDS=20V، فرکانس = 1.0 مگاهرتز		-	1370	1781	pF
Coss	ظرفیت خروجی			-	317	-
Crss	ظرفیت انتقال معکوس			-	96	-
td(روشن)	زمان تاخیر روشن کردن	VDD = 20 ولت، RL=20W، IDS=1A، VGEN=10V، RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	روشن کردن زمان افزایش			-	8	-
td (خاموش)	زمان تاخیر خاموش شدن			-	30	-
tf	زمان پاییز خاموش کردن			-	21	-
ویژگی های شارژ گیت f
Qg	شارژ کل گیت	VDS=20V، VGS=10V، IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	شارژ کل گیت	VDS=20V، VGS=4.5V، IDS=6A		-	22	-
Qgth	شارژ دروازه آستانه			-	2.6	-
Qgs	شارژ گیت منبع			-	4.7	-
Qgd	شارژ دروازه تخلیه			-	3	-