WSD6060DN56 N-channel 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
نمای کلی محصول WINSOK MOSFET
ولتاژ ماسفت WSD6060DN56 60 ولت، جریان 65 آمپر، مقاومت 7.5 mΩ، کانال N-channel و بسته DFN5X6-8 است.
مناطق کاربردی WINSOK MOSFET
سیگارهای الکترونیکی ماسفت، ماسفت شارژ بی سیم، ماسفت موتور، ماسفت پهپاد، ماسفت مراقبت های پزشکی، ماسفت شارژر خودرو، ماسفت کنترل کننده، ماسفت محصولات دیجیتال، ماسفت لوازم خانگی کوچک، ماسفت لوازم الکترونیکی مصرفی.
WINSOK MOSFET با سایر شماره های مواد برند مطابقت دارد
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS ماسفت نیمه هادی PDC696X.
پارامترهای ماسفت
| سمبل | پارامتر | رتبه بندی | واحد | |
| رتبه بندی های رایج | ||||
| VDSS | ولتاژ منبع تخلیه | 60 | V | |
| VGSS | ولتاژ دروازه-منبع | ± 20 | V | |
| TJ | حداکثر دمای محل اتصال | 150 | درجه سانتی گراد | |
| TSTG | محدوده دمای ذخیره سازی | -55 تا 150 | درجه سانتی گراد | |
| IS | جریان رو به جلو پیوسته دیود | Tc=25 درجه سانتی گراد | 30 | A |
| ID | جریان تخلیه مداوم | Tc=25 درجه سانتی گراد | 65 | A |
| Tc=70 درجه سانتی گراد | 42 | |||
| من DM ب | جریان تخلیه پالس تست شده است | Tc=25 درجه سانتی گراد | 250 | A |
| PD | حداکثر اتلاف نیرو | Tc=25 درجه سانتی گراد | 62.5 | W |
| TC=70 درجه سانتی گراد | 38 | |||
| RqJL | مقاومت حرارتی - اتصال به سرب | حالت پایدار | 2.1 | °C/W |
| RqJA | مقاومت حرارتی - اتصال به محیط | t £ دهه 10 | 45 | °C/W |
| حالت پایدارb | 50 | |||
| من AS d | جریان بهمنی، تک پالس | L=0.5mH | 18 | A |
| E AS د | انرژی بهمن، تک پالس | L=0.5mH | 81 | mJ |
| سمبل | پارامتر | شرایط آزمون | حداقل | تایپ کنید | حداکثر | واحد | |
| ویژگی های استاتیک | |||||||
| BVDSS | ولتاژ شکست منبع تخلیه | VGS=0V، IDS=250mA | 60 | - | - | V | |
| IDSS | جریان تخلیه ولتاژ دروازه صفر | VDS= 48 ولت، VGS=0 ولت | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85 درجه سانتی گراد | - | - | 30 | ||||
| VGS (امین) | ولتاژ آستانه گیت | VDS=VGS، منDS=250mA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | جریان نشتی گیت | VGS=±20V، VDS=0 ولت | - | - | ± 100 | nA | |
| R DS(ON) 3 | مقاومت در حالت منبع تخلیه | VGS= 10 ولت، IDS= 20 آمپر | - | 7.5 | 10 | m W | |
| VGS= 4.5 ولت، IDS= 15 A | - | 10 | 15 | ||||
| ویژگی های دیود | |||||||
| V SD | ولتاژ جلو دیود | ISD= 1A، VGS=0 ولت | - | 0.75 | 1.2 | V | |
| trr | زمان بازیابی معکوس | ISD= 20 آمپر، دسی لیترSD /dt=100A/µs | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | شارژ بازیابی معکوس | - | 36 | - | nC | ||
| ویژگی های دینامیک3،4 | |||||||
| RG | مقاومت دروازه | VGS=0V،VDS=0V،F=1MHz | - | 1.5 | - | W | |
| Ciss | ظرفیت ورودی | VGS=0 ولت، VDS= 30 ولت، F=1.0MHz Ω | - | 1340 | - | pF | |
| Coss | ظرفیت خروجی | - | 270 | - | |||
| Crss | ظرفیت انتقال معکوس | - | 40 | - | |||
| td(روشن) | زمان تاخیر روشن کردن | VDD=30V، IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω. | - | 15 | - | ns | |
| tr | روشن کردن زمان افزایش | - | 6 | - | |||
| td (خاموش) | زمان تاخیر خاموش شدن | - | 33 | - | |||
| tf | زمان پاییز خاموش کردن | - | 30 | - | |||
| ویژگی های شارژ دروازه 3،4 | |||||||
| Qg | شارژ کل گیت | VDS= 30 ولت، VGS= 4.5 ولت، IDS= 20 آمپر | - | 13 | - | nC | |
| Qg | شارژ کل گیت | VDS= 30 ولت، ولتGS= 10 ولت، IDS= 20 آمپر | - | 27 | - | ||
| Qgth | شارژ دروازه آستانه | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | شارژ گیت منبع | - | 5 | - | |||
| Qgd | شارژ دریچه تخلیه | - | 4.2 | - | |||
