WSD6060DN56 N-channel 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

توضیحات کوتاه:

شماره قطعه：WSD6060DN56

BVDSS：60 ولت

شناسه：65A

RDSON：7.5mΩ

کانال：کانال N

پکیج：DFN5X6-8

برای ما ایمیل بفرستید PDF

جزئیات محصول

برنامه

برچسب های محصول

نمای کلی محصول WINSOK MOSFET

ولتاژ ماسفت WSD6060DN56 60V، جریان 65A، مقاومت 7.5mΩ، کانال N-channel و بسته DFN5X6-8 است.

مناطق کاربردی WINSOK MOSFET

ماسفت سیگار الکترونیکی، ماسفت شارژ بی سیم، ماسفت موتور، ماسفت پهپاد، ماسفت مراقبت های پزشکی، ماسفت شارژر خودرو، ماسفت کنترل کننده، ماسفت محصولات دیجیتال، ماسفت لوازم خانگی کوچک، ماسفت لوازم الکترونیکی مصرفی.

WINSOK MOSFET با سایر شماره های مواد برند مطابقت دارد

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS ماسفت نیمه هادی PDC696X.

پارامترهای ماسفت

نماد	پارامتر		رتبه بندی	واحد
رتبه بندی های رایج
VDSS	ولتاژ منبع تخلیه		60	V
VGSS	ولتاژ دروازه-منبع		± 20	V
T_J	حداکثر دمای محل اتصال		150	درجه سانتی گراد
TSTG	محدوده دمای ذخیره سازی		-55 تا 150	درجه سانتی گراد
I_S	جریان رو به جلو پیوسته دیود	T_c=25 درجه سانتی گراد	30	A
ID	جریان تخلیه مداوم	T_c=25 درجه سانتی گراد	65	A
ID	جریان تخلیه مداوم	T_c=70 درجه سانتی گراد	42	A
من DM ب	جریان تخلیه پالس تست شده است	T_c=25 درجه سانتی گراد	250	A
P_D	حداکثر اتلاف نیرو	T_c=25 درجه سانتی گراد	62.5	W
P_D	حداکثر اتلاف نیرو	T_C=70 درجه سانتی گراد	38	W
R_qJL	مقاومت حرارتی - اتصال به سرب	حالت پایدار	2.1	°C/W
RqJA	مقاومت حرارتی - اتصال به محیط	t £ دهه 10	45	°C/W
RqJA	مقاومت حرارتی - اتصال به محیط	حالت پایدار^b	50	°C/W
من AS^d	جریان بهمنی، تک پالس	L=0.5mH	18	A
E AS د	انرژی بهمن، تک پالس	L=0.5mH	81	mJ

نماد	پارامتر	شرایط آزمون		حداقل	تایپ کنید	حداکثر	واحد
ویژگی های استاتیک
BV_DSS	ولتاژ شکست منبع تخلیه	V_GS=0V، I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	جریان تخلیه ولتاژ دروازه صفر	V_DS= 48 ولت، V_GS=0 ولت		-	-	1	mA
IDSS	جریان تخلیه ولتاژ دروازه صفر						mA
			T_J=85 درجه سانتیگراد	-	-	30
VGS (امین)	ولتاژ آستانه دروازه	V_DS=V_GS، من_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	جریان نشتی دروازه	V_GS=±20V، V_DS=0 ولت		-	-	± 100	nA
R DS(ON) 3	مقاومت در حالت منبع تخلیه	V_GS= 10 ولت، I_DS= 20 آمپر		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	مقاومت در حالت منبع تخلیه	V_GS= 4.5 ولت، I_DS= 15 A		-	10	15	m W
ویژگی های دیود
V SD	ولتاژ جلو دیود	I_SD= 1A، V_GS=0 ولت		-	0.75	1.2	V
t_rr	زمان بازیابی معکوس	I_SD= 20 آمپر، دسی لیتر_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	شارژ بازیابی معکوس	I_SD= 20 آمپر، دسی لیتر_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
ویژگی های دینامیک^3،4
R_G	مقاومت دروازه	V_GS=0V،V_DS=0V،F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	ظرفیت ورودی	V_GS=0 ولت، V_DS= 30 ولت، F=1.0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	ظرفیت خروجی			-	270	-
C_rss	ظرفیت انتقال معکوس			-	40	-
td(روشن)	زمان تاخیر روشن کردن	VDD=30V، IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	روشن کردن زمان افزایش			-	6	-
td (خاموش)	زمان تاخیر خاموش شدن			-	33	-
t_f	زمان پاییز خاموش کردن			-	30	-
ویژگی های شارژ دروازه ^3،4
Q_g	شارژ کل گیت	V_DS= 30 ولت، V_GS= 4.5 ولت، I_DS= 20 آمپر		-	13	-	nC
Q_g	شارژ کل گیت	V_DS= 30 ولت، ولت_GS= 10 ولت، I_DS= 20 آمپر		-	27	-
Q_gth	شارژ دروازه آستانه			-	4.1	-
Q_gs	شارژ گیت منبع			-	5	-
Q_gd	شارژ دریچه تخلیه			-	4.2	-