WSD75100DN56 N-channel 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

محصولات

WSD75100DN56 N-channel 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

توضیحات کوتاه:

شماره قطعه:WSD75100DN56

BVDSS:75 ولت

شناسه:100A

RDSON:5.3mΩ 

کانال:کانال N

پکیج:DFN5X6-8


جزئیات محصول

برنامه

برچسب های محصول

نمای کلی محصول WINSOK MOSFET

ولتاژ ماسفت WSD75100DN56 75 ولت، جریان 100 آمپر، مقاومت 5.3 mΩ، کانال N-channel و بسته DFN5X6-8 است.

مناطق کاربردی WINSOK MOSFET

سیگارهای الکترونیکی ماسفت، ماسفت شارژ بی سیم، ماسفت هواپیماهای بدون سرنشین، ماسفت مراقبت های پزشکی، ماسفت شارژر خودرو، ماسفت کنترل کننده، ماسفت محصولات دیجیتال، ماسفت لوازم خانگی کوچک، ماسفت لوازم الکترونیکی مصرفی.

WINSOK MOSFET با سایر شماره های مواد برند مطابقت دارد

AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET7PONSC4 OSFET PDC7966X.

پارامترهای ماسفت

نماد

پارامتر

رتبه بندی

واحدها

VDS

ولتاژ منبع تخلیه

75

V

VGS

دروازه سوrولتاژ ce

±25

V

TJ

حداکثر دمای محل اتصال

150

درجه سانتی گراد

ID

محدوده دمای ذخیره سازی

-55 تا 150

درجه سانتی گراد

IS

جریان رو به جلو پیوسته دیود، TC=25 درجه سانتی گراد

50

A

ID

جریان تخلیه مداوم، VGS= 10 ولت، TC=25 درجه سانتی گراد

100

A

جریان تخلیه مداوم، VGS= 10 ولت، TC=100 درجه سانتیگراد

73

A

IDM

جریان تخلیه پالسی، TC=25 درجه سانتی گراد

400

A

PD

حداکثر اتلاف توان، TC=25 درجه سانتی گراد

155

W

حداکثر اتلاف توان، TC=100 درجه سانتیگراد

62

W

RθJA

مقاومت حرارتی - اتصال به محیط، t = 10s ̀

20

درجه سانتی گراد

مقاومت حرارتی - اتصال به محیط، حالت پایدار

60

درجه سانتی گراد

RqJC

مقاومت حرارتی - اتصال به کیس

0.8

درجه سانتی گراد

IAS

جریان بهمن، تک پالس، L=0.5mH

30

A

EAS

انرژی بهمن، تک پالس، L=0.5mH

225

mJ

 

نماد

پارامتر

شرایط

حداقل

تایپ کنید

حداکثر

واحد

BVDSS

ولتاژ شکست منبع تخلیه VGS=0V، ID=250uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSضریب دما ارجاع به 25، منD= 1 میلی آمپر

---

0.043

---

V/

RDS(روشن)

منبع تخلیه استاتیک بر روی مقاومت2 VGS=10V، ID=25A

---

5.3

6.4

mΩ

VGS (امین)

ولتاژ آستانه دروازه VGS=VDS، منD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS (امین)

VGS (امین)ضریب دما

---

-6.94

---

mV/

IDSS

جریان نشتی منبع تخلیه VDS= 48 ولت، VGS= 0 ولت، TJ=25

---

---

2

uA

VDS= 48 ولت، VGS= 0 ولت، TJ=55

---

---

10

IGSS

جریان نشتی دروازه-منبع VGS=±20 ولت، ولتDS=0 ولت

---

---

±100

nA

gfs

انتقال رسانایی رو به جلو VDS= 5 ولت، ID= 20 آمپر

---

50

---

S

Rg

مقاومت دروازه VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

شارژ کل گیت (10 ولت) VDS= 20 ولت، ولتGS= 10 ولت، ID=40A

---

65

85

nC

Qgs

شارژ گیت منبع

---

20

---

Qgd

شارژ دریچه تخلیه

---

17

---

Td(روشن)

زمان تأخیر روشن کردن VDD= 30 ولت، ولتژنرال= 10 ولت، RG=1Ω، منD=1A،RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

زمان ظهور

---

14

26

Td (خاموش)

زمان تاخیر خاموش کردن

---

60

108

Tf

زمان پاییز

---

37

67

Ciss

ظرفیت ورودی VDS= 20 ولت، ولتGS=0V، f=1MHz

3450

3500 4550

pF

Coss

ظرفیت خروجی

245

395

652

Crss

ظرفیت انتقال معکوس

100

195

250


  • قبلی:
  • بعدی:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید