WSD75N12GDN56 N-channel 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
نمای کلی محصول WINSOK MOSFET
ولتاژ ماسفت WSD75N12GDN56 120 ولت، جریان 75 آمپر، مقاومت 6 mΩ، کانال N-channel و بسته DFN5X6-8 است.
مناطق کاربردی WINSOK MOSFET
تجهیزات پزشکی ماسفت پهباد ماسفت پاور PD ماسفت منبع تغذیه ال ای دی ماسفت تجهیزات صنعتی ماسفت.
فیلدهای کاربردی MOSFET WINSOK MOSFET با شماره مواد مارک دیگر مطابقت دارد
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923. PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
پارامترهای ماسفت
| سمبل | پارامتر | رتبه بندی | واحدها |
| VDSS | ولتاژ تخلیه به منبع | 120 | V |
| VGS | ولتاژ دروازه به منبع | ± 20 | V |
| ID | 1 جریان تخلیه پیوسته (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 جریان تخلیه مداوم (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | جریان تخلیه پالسی | 320 | A |
| IAR | جریان بهمنی تک پالس | 40 | A |
| EASa | انرژی بهمن تک پالس | 240 | mJ |
| PD | اتلاف قدرت | 125 | W |
| TJ, Tstg | محل اتصال عملیاتی و محدوده دمای ذخیره سازی | -55 تا 150 | ℃ |
| TL | حداکثر دما برای لحیم کاری | 260 | ℃ |
| RθJC | مقاومت حرارتی، اتصال به کیس | 1.0 | ℃/W |
| RthJA | مقاومت حرارتی، اتصال به محیط | 50 | ℃/W |
| سمبل | پارامتر | شرایط آزمون | حداقل | تایپ کنید | حداکثر | واحدها |
| VDSS | تخلیه به منبع ولتاژ شکست | VGS=0V، ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | تخلیه به منبع جریان نشتی | VDS = 120 ولت، VGS = 0 ولت | -- | -- | 1 | μA |
| IGSS (F) | گیت به منبع نشت رو به جلو | VGS = + 20 ولت | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS (R) | گیت به منبع نشت معکوس | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS (TH) | ولتاژ آستانه گیت | VDS=VGS، ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(روشن)1 | تخلیه به منبع روی مقاومت | VGS=10V، ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | انتقال رسانایی رو به جلو | VDS=5V، ID=50A | 130 | -- | S | |
| سیس | ظرفیت ورودی | VGS = 0V VDS = 50V f =1.0 مگاهرتز | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | ظرفیت خروجی | -- | 429 | -- | pF | |
| Crss | ظرفیت انتقال معکوس | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | مقاومت دروازه | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(روشن) | زمان تاخیر روشن کردن | ID = 20A VDS = 50V VGS = 10 ولت RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | زمان برخاستن | -- | 11 | -- | ns | |
| td (خاموش) | زمان تاخیر خاموش کردن | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | زمان سقوط | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | شارژ کل گیت | VGS =0~10V VDS =50Vشناسه = 20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | شارژ منبع گیت | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | شارژ تخلیه دروازه | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | جریان رو به جلو دیود | TC =25 درجه سانتیگراد | -- | -- | 100 | A |
| ISM | جریان پالس دیود | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | ولتاژ جلو دیود | IS=6.0A، VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | زمان بازیابی معکوس | IS=20A، VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | شارژ بازیابی معکوس | -- | 250 | -- | nC |
