WSD75N12GDN56 N-channel 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

محصولات

WSD75N12GDN56 N-channel 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

توضیحات کوتاه:

شماره قطعه:WSD75N12GDN56

BVDSS:120 ولت

شناسه:75A

RDSON:6mΩ

کانال:کانال N

پکیج:DFN5X6-8


جزئیات محصول

برنامه

برچسب های محصول

نمای کلی محصول WINSOK MOSFET

ولتاژ ماسفت WSD75N12GDN56 120V، جریان 75A، مقاومت 6mΩ، کانال N-channel و بسته DFN5X6-8 است.

مناطق کاربردی WINSOK MOSFET

تجهیزات پزشکی ماسفت پهباد ماسفت پاور PD ماسفت منبع تغذیه ال ای دی ماسفت تجهیزات صنعتی ماسفت.

فیلدهای کاربردی MOSFET WINSOK MOSFET با شماره مواد مارک دیگر مطابقت دارد

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923. PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.

پارامترهای ماسفت

نماد

پارامتر

رتبه بندی

واحدها

VDSS

ولتاژ تخلیه به منبع

120

V

VGS

ولتاژ دروازه به منبع

± 20

V

ID

1

جریان تخلیه پیوسته (Tc=25℃)

75

A

ID

1

جریان تخلیه مداوم (Tc=70℃)

70

A

IDM

جریان تخلیه پالسی

320

A

IAR

جریان بهمنی تک پالسی

40

A

EASa

انرژی بهمن تک پالس

240

mJ

PD

اتلاف نیرو

125

W

TJ, Tstg

محل اتصال عملیاتی و محدوده دمای ذخیره سازی

-55 تا 150

TL

حداکثر دما برای لحیم کاری

260

RθJC

مقاومت حرارتی، اتصال به کیس

1.0

℃/W

RthJA

مقاومت حرارتی، اتصال به محیط

50

℃/W

 

نماد

پارامتر

شرایط آزمون

حداقل

تایپ کنید

حداکثر

واحدها

VDSS

تخلیه به منبع ولتاژ شکست VGS=0V، ID=250µA

120

--

--

V

IDSS

تخلیه به منبع جریان نشتی VDS = 120 ولت، VGS = 0 ولت

--

--

1

μA

IGSS (F)

گیت به منبع نشت رو به جلو VGS = + 20 ولت

--

--

100

nA

IGSS (R)

گیت به منبع نشت معکوس VGS =-20V

--

--

-100

nA

VGS (TH)

ولتاژ آستانه دروازه VDS=VGS، ID = 250µA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(روشن)1

تخلیه به منبع روی مقاومت VGS=10V، ID=20A

--

6.0

6.8

gFS

انتقال رسانایی رو به جلو VDS=5V، ID=50A  

130

--

S

سیس

ظرفیت ورودی VGS = 0V VDS = 50V f =1.0 مگاهرتز

--

4282

--

pF

Coss

ظرفیت خروجی

--

429

--

pF

Crss

ظرفیت انتقال معکوس

--

17

--

pF

Rg

مقاومت دروازه

--

2.5

--

Ω

td(روشن)

زمان تاخیر روشن کردن

ID = 20A VDS = 50V VGS =

10 ولت RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

زمان ظهور

--

11

--

ns

td (خاموش)

زمان تاخیر خاموش کردن

--

55

--

ns

tf

زمان پاییز

--

28

--

ns

Qg

شارژ کل گیت VGS =0~10V VDS =50Vشناسه = 20A

--

61.4

--

nC

Qgs

شارژ منبع گیت

--

17.4

--

nC

Qgd

شارژ تخلیه دروازه

--

14.1

--

nC

IS

جریان رو به جلو دیود TC =25 درجه سانتیگراد

--

--

100

A

ISM

جریان پالس دیود

--

--

320

A

VSD

ولتاژ جلو دیود IS=6.0A، VGS=0V

--

--

1.2

V

trr

زمان بازیابی معکوس IS=20A، VDD=50V dIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

Qrr

شارژ بازیابی معکوس

--

250

--

nC


  • قبلی:
  • بعدی:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید