WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

توضیح کوتاه:

شماره مدل:WSF6012

BVDSS:60V/-60V

RDSON:28mΩ/75mΩ

شناسه:20A/-15A

کانال:کانال N&P

بسته:TO-252-4L

خلاصه محصول:ماسفت WSF6012 دارای محدوده ولتاژ 60 ولت و 60 ولت است، می تواند جریان های تا 20 آمپر و 15- آمپر را تحمل کند، مقاومت 28 میلی اهم و 75 متر اهم دارد، دارای هر دو کانال N&P است و در TO-252-4L بسته بندی شده است.

برنامه های کاربردی:سیگارهای الکترونیکی، شارژرهای بی‌سیم، موتورها، پشتیبان‌های برق، پهپادها، مراقبت‌های بهداشتی، شارژرهای خودرو، کنترل‌کننده‌ها، لوازم الکترونیکی، لوازم خانگی و کالاهای مصرفی.

برای ما ایمیل بفرستید PDF

جزئیات محصول

کاربرد

برچسب های محصول

توضیحات کلی

ماسفت WSF6012 دستگاهی با کارایی بالا با طراحی تراکم سلولی بالا است.RDSON و شارژ گیت عالی را برای اکثر برنامه‌های مبدل باک سنکرون فراهم می‌کند.علاوه بر این، الزامات RoHS و Green Product را برآورده می کند و با 100٪ تضمین EAS برای عملکرد و قابلیت اطمینان کامل ارائه می شود.

امکانات

فناوری پیشرفته ترانچ با تراکم سلولی بالا، شارژ بسیار کم دروازه، کاهش عالی جلوه CdV/dt، گارانتی 100٪ EAS، و گزینه های دستگاه دوستدار محیط زیست.

برنامه های کاربردی

مبدل باک سنکرون نقطه بار فرکانس بالا، سیستم برق DC-DC شبکه، سوئیچ بار، سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، موتورها، منابع تغذیه اضطراری، هواپیماهای بدون سرنشین، مراقبت های بهداشتی، شارژرهای خودرو، کنترلرها، دستگاه های دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، و لوازم الکترونیکی مصرفی

شماره مواد مربوطه

AOS AOD603A،

پارامترهای مهم

سمبل	پارامتر	رتبه بندی		واحدها
سمبل	پارامتر	کانال N	کانال پی	واحدها
VDS	ولتاژ منبع تخلیه	60	-60	V
VGS	ولتاژ دروازه-منبع	± 20	± 20	V
ID@TC=25℃	جریان تخلیه مداوم، VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	جریان تخلیه مداوم، VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	جریان تخلیه پالسی 2	46	-36	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	200	180	mJ
IAS	جریان بهمن	59	-50	A
PD@TC=25℃	اتلاف توان کل 4	34.7	34.7	W
TSTG	محدوده دمای ذخیره سازی	-55 تا 150	-55 تا 150	℃
TJ	محدوده دمای محل اتصال عملیاتی	-55 تا 150	-55 تا 150	℃

سمبل	پارامتر	شرایط	حداقل	تایپ کنید	حداکثر	واحد
BVDSS	ولتاژ شکست منبع تخلیه	VGS=0V، ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	ضریب دمای BVDSS	ارجاع به 25℃، ID=1mA	---	0.063	---	V/℃
RDS(روشن)	منبع تخلیه استاتیک روی مقاومت 2	VGS=10V، ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(روشن)	منبع تخلیه استاتیک روی مقاومت 2	VGS=4.5V، ID=5A	---	37	45	mΩ
VGS (امین)	ولتاژ آستانه گیت	VGS=VDS، ID=250uA	1	---	2.5	V
△VGS (امین)	ضریب دمایی VGS(th).	VGS=VDS، ID=250uA	---	-5.24	---	mV/℃
IDSS	جریان نشتی منبع تخلیه	VDS=48V، VGS=0V، TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	جریان نشتی منبع تخلیه	VDS=48V، VGS=0V، TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	جریان نشتی دروازه-منبع	VGS=±20V، VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	انتقال رسانایی رو به جلو	VDS=5V، ID=8A	---	21	---	S
Rg	مقاومت دروازه	VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	شارژ کل گیت (4.5 ولت)	VDS=48V، VGS=4.5V، ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	شارژ گیت منبع		---	3.5	---
Qgd	شارژ دریچه تخلیه		---	6.3	---
Td(روشن)	زمان تأخیر روشن کردن	VDD=30V، VGS=4.5V، RG=3.3Ω، ID=1A	---	8	---	ns
Tr	زمان برخاستن		---	14.2	---
Td (خاموش)	زمان تاخیر خاموش کردن		---	24.6	---
Tf	زمان سقوط		---	4.6	---
سیس	ظرفیت ورودی	VDS=15V، VGS=0V، f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	ظرفیت خروجی		---	70	---
Crss	ظرفیت انتقال معکوس		---	35	---