WSM320N04G کانال N 40V 320A TOLL-8L ماسفت وینسوک

WSM320N04G کانال N 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET تصویر ویژه

توضیح کوتاه:

شماره مدل:WSM320N04G

BVDSS:40 ولت

RDSON:1.2mΩ

شناسه:320A

کانال:کانال N

بسته:TOLL-8L

خلاصه محصول:ماسفت WSM320N04G دارای ولتاژ 40 ولت، جریان 320 آمپر، مقاومت 1.2 mΩ، کانال N و پکیج TOLL-8L است.

برنامه های کاربردی:سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، هواپیماهای بدون سرنشین، پزشکی، شارژ خودرو، کنترلرها، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی.

برای ما ایمیل بفرستید PDF

جزئیات محصول

کاربرد

برچسب های محصول

توضیحات کلی

WSM320N04G یک ماسفت با کارایی بالا است که از طراحی ترانشه استفاده می کند و تراکم سلولی بسیار بالایی دارد.دارای RDSON و شارژ گیت عالی است و برای اکثر برنامه های مبدل باک سنکرون مناسب است.WSM320N04G الزامات RoHS و Green Product را برآورده می کند و 100% EAS و قابلیت اطمینان عملکرد کامل را تضمین می کند.

امکانات

فناوری پیشرفته ترنچ با تراکم سلول بالا، در حالی که دارای شارژ دروازه کم برای عملکرد بهینه است.علاوه بر این، کاهش اثر CdV/dt عالی، 100% ضمانت EAS و گزینه ای سازگار با محیط زیست را به رخ می کشد.

برنامه های کاربردی

مبدل باک همزمان نقطه بار فرکانس بالا، سیستم برق DC-DC شبکه، برنامه ابزار برقی، سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، هواپیماهای بدون سرنشین، پزشکی، شارژ خودرو، کنترلرها، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک و لوازم الکترونیکی مصرفی.

پارامترهای مهم

سمبل	پارامتر	رتبه بندی	واحدها
VDS	ولتاژ منبع تخلیه	40	V
VGS	ولتاژ دروازه-منبع	± 20	V
ID@TC=25℃	جریان تخلیه مداوم، VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	جریان تخلیه مداوم، VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	جریان تخلیه پالسی 2	900	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	980	mJ
IAS	جریان بهمن	70	A
PD@TC=25℃	اتلاف توان کل 4	250	W
TSTG	محدوده دمای ذخیره سازی	-55 تا 175	℃
TJ	محدوده دمای محل اتصال عملیاتی	-55 تا 175	℃

سمبل	پارامتر	شرایط	حداقل	تایپ کنید	حداکثر	واحد
BVDSS	ولتاژ شکست منبع تخلیه	VGS=0V، ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	ضریب دمای BVDSS	ارجاع به 25℃، ID=1mA	---	0.050	---	V/℃
RDS(روشن)	منبع تخلیه استاتیک روی مقاومت 2	VGS=10V، ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(روشن)	منبع تخلیه استاتیک روی مقاومت 2	VGS=4.5V، ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS (امین)	ولتاژ آستانه گیت	VGS=VDS، ID=250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS (امین)	ضریب دمایی VGS(th).	VGS=VDS، ID=250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	جریان نشتی منبع تخلیه	VDS=40V، VGS=0V، TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	جریان نشتی منبع تخلیه	VDS=40V، VGS=0V، TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	جریان نشتی دروازه-منبع	VGS=±20V، VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	انتقال رسانایی رو به جلو	VDS=5V، ID=50A	---	160	---	S
Rg	مقاومت دروازه	VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	شارژ کل گیت (10 ولت)	VDS=20V، VGS=10V، ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	شارژ گیت منبع		---	43	---
Qgd	شارژ دریچه تخلیه		---	83	---
Td(روشن)	زمان تأخیر روشن کردن	VDD=20V، VGEN=4.5V، RG=2.7Ω، ID=1A.	---	30	---	ns
Tr	زمان برخاستن		---	115	---
Td (خاموش)	زمان تاخیر خاموش کردن		---	95	---
Tf	زمان سقوط		---	80	---
سیس	ظرفیت ورودی	VDS=20V، VGS=0V، f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	ظرفیت خروجی		---	1200	---
Crss	ظرفیت انتقال معکوس		---	800	---