WSP4088 N-channel 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

محصولات

WSP4088 N-channel 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

توضیح کوتاه:


  • شماره مدل:WSP4088
  • BVDSS:40 ولت
  • RDSON:13mΩ
  • شناسه:11A
  • کانال:کانال N
  • بسته:SOP-8
  • خلاصه محصول:ولتاژ WSP4088 MOSFET 40V، جریان 11A، مقاومت 13mΩ، کانال N-channel و پکیج SOP-8 است.
  • برنامه های کاربردی:سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، موتورها، پهپادها، پزشکی، شارژ خودرو، کنترلرها، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی و غیره
  • جزئیات محصول

    کاربرد

    برچسب های محصول

    توضیحات کلی

    WSP4088 بالاترین کارایی ترانچ ماسفت کانال N با تراکم سلولی بسیار بالا است که RDSON و شارژ گیت عالی را برای اکثر برنامه های کاربردی مبدل باک سنکرون ارائه می دهد.WSP4088 مطابق با الزامات RoHS و محصول سبز، 100٪ ضمانت EAS، قابلیت اطمینان عملکرد کامل تایید شده است.

    امکانات

    دستگاه های قابل اعتماد و مقاوم، بدون سرب و سبز موجود است

    برنامه های کاربردی

    مدیریت انرژی در کامپیوترهای رومیزی یا مبدل های DC/DC، سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، موتورها، پهپادها، پزشکی، شارژ خودرو، کنترلرها، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی و غیره

    شماره مواد مربوطه

    AO AO4884 AO4882، در FDS4672A، PANJIT PJL9424، DINTEK DTM4916 و غیره.

    پارامترهای مهم

    حداکثر مطلق رتبه بندی (TA = 25 C مگر اینکه غیر از این ذکر شده باشد)

    سمبل پارامتر   رتبه بندی واحد
    رتبه بندی های رایج    
    VDSS ولتاژ منبع تخلیه   40 V
    VGSS ولتاژ دروازه-منبع   ± 20
    TJ حداکثر دمای محل اتصال   150 درجه سانتی گراد
    TSTG محدوده دمای ذخیره سازی   -55 تا 150
    IS جریان رو به جلو پیوسته دیود TA=25 درجه سانتیگراد 2 A
    ID جریان تخلیه مداوم TA=25 درجه سانتیگراد 11 A
    TA=70 درجه سانتیگراد 8.4
    IDM a جریان تخلیه پالسی TA=25 درجه سانتیگراد 30
    PD حداکثر اتلاف نیرو TA=25 درجه سانتیگراد 2.08 W
    TA=70 درجه سانتیگراد 1.3
    RqJA مقاومت حرارتی - اتصال به محیط t 10 پوند 30 °C/W
    حالت پایدار 60
    RqJL مقاومت حرارتی - اتصال به سرب حالت پایدار 20
    IAS b جریان بهمنی، تک پالس L=0.1mH 23 A
    EAS ب انرژی بهمن، تک پالس L=0.1mH 26 mJ

    توجه الف:حداکثرجریان توسط سیم اتصال محدود می شود.
    تبصره ب:UIS تست شد و عرض پالس با حداکثر دمای اتصال 150oC محدود شد (دمای اولیه Tj=25oC).

    مشخصات الکتریکی (TA = 25 C مگر اینکه در غیر این صورت ذکر شده باشد)

    سمبل پارامتر شرایط آزمون حداقل تایپ کنید حداکثر واحد
    ویژگی های استاتیک
    BVDSS ولتاژ شکست منبع تخلیه VGS=0V، IDS=250mA 40 - - V
    IDSS جریان تخلیه ولتاژ دروازه صفر VDS=32V، VGS=0V - - 1 mA
    TJ=85 درجه سانتیگراد - - 30
    VGS (امین) ولتاژ آستانه گیت VDS=VGS، IDS=250mA 1.5 1.8 2.5 V
    IGSS جریان نشتی گیت VGS=±20V، VDS=0V - - ± 100 nA
    RDS(ON) c مقاومت در حالت منبع تخلیه VGS=10V، IDS=7A - 10.5 13 mW
    TJ=125 درجه سانتیگراد - 15.75 -
    VGS=4.5V، IDS=5A - 12 16
    Gfs انتقال رسانایی رو به جلو VDS=5V، IDS=15A - 31 - S
    ویژگی های دیود
    VSD c ولتاژ جلو دیود ISD=10A، VGS=0V - 0.9 1.1 V
    trr زمان بازیابی معکوس VDD=20V،ISD=10A، dlSD/dt=100A/ms - 15.2 - ns
    ta زمان شارژ - 9.4 -
    tb زمان تخلیه - 5.8 -
    Qrr شارژ بازیابی معکوس - 9.5 - nC
    خصوصیات دینامیکی د
    RG مقاومت دروازه VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 0.7 1.1 1.8 W
    سیس ظرفیت ورودی VGS=0V،VDS=20V،فرکانس=1.0MHz - 1125 - pF
    Coss ظرفیت خروجی - 132 -
    Crss ظرفیت انتقال معکوس - 70 -
    td(روشن) زمان تاخیر روشن کردن VDD=20V، RL=20W،IDS=1A، VGEN=10V، RG=1W - 12.6 - ns
    tr روشن کردن زمان افزایش - 10 -
    td (خاموش) زمان تاخیر خاموش شدن - 23.6 -
    tf زمان پاییز خاموش کردن - 6 -
    ویژگی های شارژ دروازه د
    Qg شارژ کل گیت VDS=20V، VGS=4.5V، IDS=7A - 9.4 - nC
    Qg شارژ کل گیت VDS=20V، VGS=10V، IDS=7A - 20 28
    Qgth شارژ دروازه آستانه - 2 -
    Qgs شارژ گیت منبع - 3.9 -
    Qgd شارژ دریچه تخلیه - 3 -

    نکته ج:
    تست نبض؛عرض پالس £ 300ms، چرخه وظیفه £ 2%.


  • قبلی:
  • بعد:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید