WSP4088 N-channel 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET

توضیحات کوتاه:

شماره مدل:WSP4088

BVDSS:40 ولت

RDSON:13mΩ

شناسه:11A

کانال:کانال N

بسته:SOP-8

خلاصه محصول:ولتاژ WSP4088 MOSFET 40V، جریان 11A، مقاومت 13mΩ، کانال N-channel و پکیج SOP-8 است.

برنامه های کاربردی:سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی سیم، موتورها، پهپادها، پزشکی، شارژ خودرو، کنترلرها، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی و غیره

برای ما ایمیل بفرستید PDF

جزئیات محصول

برنامه

برچسب های محصول

توضیحات کلی

WSP4088 بالاترین کارایی ترانچ ماسفت کانال N با تراکم سلولی بسیار بالا است که RDSON و شارژ گیت عالی را برای اکثر برنامه های کاربردی مبدل باک سنکرون ارائه می دهد. WSP4088 مطابق با الزامات RoHS و محصول سبز، 100٪ ضمانت EAS، قابلیت اطمینان عملکرد کامل تایید شده است.

ویژگی ها

دستگاه های قابل اعتماد و مقاوم، بدون سرب و سبز موجود است

برنامه های کاربردی

مدیریت انرژی در کامپیوترهای رومیزی یا مبدل‌های DC/DC، سیگارهای الکترونیکی، شارژ بی‌سیم، موتورها، پهپادها، پزشکی، شارژ خودرو، کنترل‌کننده‌ها، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی و غیره

شماره مواد مربوطه

AO AO4884 AO4882، در FDS4672A، PANJIT PJL9424، DINTEK DTM4916 و غیره.

پارامترهای مهم

حداکثر مطلق رتبه بندی (TA = 25 C مگر اینکه غیر از این ذکر شده باشد)

نماد	پارامتر		رتبه بندی	واحد
رتبه بندی های رایج
VDSS	ولتاژ منبع تخلیه		40	V
VGSS	ولتاژ دروازه-منبع		± 20	V
TJ	حداکثر دمای محل اتصال		150	درجه سانتی گراد
TSTG	محدوده دمای ذخیره سازی		-55 تا 150	درجه سانتی گراد
IS	جریان رو به جلو پیوسته دیود	TA=25 درجه سانتیگراد	2	A
ID	جریان تخلیه مداوم	TA=25 درجه سانتیگراد	11	A
ID	جریان تخلیه مداوم	TA=70 درجه سانتیگراد	8.4
IDM a	جریان تخلیه پالسی	TA=25 درجه سانتیگراد	30
PD	حداکثر اتلاف نیرو	TA=25 درجه سانتیگراد	2.08	W
PD	حداکثر اتلاف نیرو	TA=70 درجه سانتیگراد	1.3	W
RqJA	مقاومت حرارتی - اتصال به محیط	t 10 پوند	30	°C/W
RqJA	مقاومت حرارتی - اتصال به محیط	حالت پایدار	60
RqJL	مقاومت حرارتی - اتصال به سرب	حالت پایدار	20
IAS b	جریان بهمنی، تک پالس	L=0.1mH	23	A
EAS ب	انرژی بهمن، تک پالس	L=0.1mH	26	mJ

توجه الف:حداکثر جریان توسط سیم اتصال محدود می شود.
تبصره ب:UIS تست شد و عرض پالس با حداکثر دمای اتصال 150oC محدود شد (دمای اولیه Tj=25oC).

مشخصات الکتریکی (TA = 25 C مگر اینکه در غیر این صورت ذکر شده باشد)

نماد	پارامتر	شرایط آزمون		حداقل	تایپ کنید	حداکثر	واحد
ویژگی های استاتیک
BVDSS	ولتاژ شکست منبع تخلیه	VGS=0V، IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	جریان تخلیه ولتاژ دروازه صفر	VDS=32V، VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	جریان تخلیه ولتاژ دروازه صفر		TJ=85 درجه سانتیگراد	-	-	30	mA
VGS (امین)	ولتاژ آستانه دروازه	VDS=VGS، IDS=250mA		1.5	1.8	2.5	V
IGSS	جریان نشتی دروازه	VGS=±20V، VDS=0V		-	-	± 100	nA
RDS(ON) c	مقاومت در حالت منبع تخلیه	VGS=10V، IDS=7A		-	10.5	13	mW
			TJ=125 درجه سانتیگراد	-	15.75	-
		VGS=4.5V، IDS=5A		-	12	16
Gfs	انتقال رسانایی رو به جلو	VDS=5V، IDS=15A		-	31	-	S
ویژگی های دیود
VSD c	ولتاژ جلو دیود	ISD=10A، VGS=0V		-	0.9	1.1	V
trr	زمان بازیابی معکوس	VDD=20V،ISD=10A، dlSD/dt=100A/ms		-	15.2	-	ns
ta	زمان شارژ			-	9.4	-
tb	زمان تخلیه			-	5.8	-
Qrr	شارژ بازیابی معکوس			-	9.5	-	nC
خصوصیات دینامیک د
RG	مقاومت دروازه	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		0.7	1.1	1.8	W
سیس	ظرفیت ورودی	VGS=0V،VDS=20V،فرکانس=1.0MHz		-	1125	-	pF
Coss	ظرفیت خروجی			-	132	-
Crss	ظرفیت انتقال معکوس			-	70	-
td(روشن)	زمان تاخیر روشن کردن	VDD=20V، RL=20W،IDS=1A، VGEN=10V، RG=1W		-	12.6	-	ns
tr	روشن کردن زمان افزایش			-	10	-
td (خاموش)	زمان تاخیر خاموش شدن			-	23.6	-
tf	زمان پاییز خاموش کردن			-	6	-
ویژگی های شارژ دروازه د
Qg	شارژ کل گیت	VDS=20V، VGS=4.5V، IDS=7A		-	9.4	-	nC
Qg	شارژ کل گیت	VDS=20V، VGS=10V، IDS=7A		-	20	28
Qgth	شارژ دروازه آستانه			-	2	-
Qgs	شارژ گیت منبع			-	3.9	-
Qgd	شارژ دریچه تخلیه			-	3	-