WST8205 دو کانال N 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

محصولات

WST8205 دو کانال N 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

توضیح کوتاه:


  • شماره مدل:WST8205
  • BVDSS:20 ولت
  • RDSON:24mΩ
  • شناسه:5.8A
  • کانال:دو کانال N
  • بسته:SOT-23-6L
  • خلاصه محصول:ماسفت WST8205 با ولتاژ 20 ولت کار می کند، جریان 5.8 آمپر را تحمل می کند و دارای مقاومت 24 میلی اهم است.ماسفت از یک کانال N دوگانه تشکیل شده و در بسته بندی SOT-23-6L قرار دارد.
  • برنامه های کاربردی:لوازم الکترونیکی خودرو، چراغ‌های LED، محصولات صوتی، دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی، بردهای محافظ.
  • جزئیات محصول

    کاربرد

    برچسب های محصول

    توضیحات کلی

    WST8205 یک ماسفت ترانچ N-Ch با کارایی بالا با تراکم سلولی بسیار بالا است که RDSON و شارژ گیت عالی را برای اکثر برنامه های سوئیچینگ برق کوچک و سوئیچینگ بار ارائه می دهد.WST8205 الزامات RoHS و Green Product را با تایید قابلیت اطمینان کامل برآورده می کند.

    امکانات

    فناوری پیشرفته ما دارای ویژگی های نوآورانه ای است که این دستگاه را از سایر دستگاه های موجود در بازار متمایز می کند.با ترانشه های با تراکم سلولی بالا، این فناوری یکپارچگی بیشتر اجزا را امکان پذیر می کند که منجر به افزایش کارایی و کارایی می شود. یکی از مزایای قابل توجه این دستگاه شارژ بسیار کم آن است.در نتیجه، برای جابه‌جایی بین حالت‌های روشن و خاموش، به حداقل انرژی نیاز دارد و در نتیجه مصرف برق کاهش می‌یابد و راندمان کلی بهبود می‌یابد.این ویژگی شارژ گیت کم، آن را به انتخابی ایده‌آل برای برنامه‌هایی تبدیل می‌کند که نیاز به سوئیچینگ با سرعت بالا و کنترل دقیق دارند. علاوه بر این، دستگاه ما در کاهش اثرات Cdv/dt عالی است.Cdv/dt یا نرخ تغییر ولتاژ تخلیه به منبع در طول زمان می‌تواند اثرات نامطلوبی مانند افزایش ولتاژ و تداخل الکترومغناطیسی ایجاد کند.با به حداقل رساندن موثر این اثرات، دستگاه ما عملکرد قابل اعتماد و پایدار را حتی در محیط‌های پرتحرک و پویا تضمین می‌کند.این با در نظر گرفتن پایداری و با در نظر گرفتن عواملی مانند بهره وری انرژی و طول عمر طراحی شده است.با کارکرد با حداکثر بهره وری انرژی، این دستگاه ردپای کربن خود را به حداقل می رساند و به آینده ای سبزتر کمک می کند. به طور خلاصه، دستگاه ما فناوری پیشرفته را با ترانشه های با تراکم سلولی بالا، شارژ گیت بسیار کم و کاهش عالی اثرات Cdv/dt ترکیب می کند.با طراحی سازگار با محیط زیست، نه تنها عملکرد و کارایی برتر را ارائه می دهد، بلکه با نیاز روزافزون به راه حل های پایدار در دنیای امروز همسو می شود.

    برنامه های کاربردی

    فرکانس بالا نقطه بار سوئیچینگ برق کوچک برای شبکه های MB/NB/UMPC/VGA سیستم برق DC-DC، لوازم الکترونیکی خودرو، چراغ های LED، صدا، محصولات دیجیتال، لوازم خانگی کوچک، لوازم الکترونیکی مصرفی، بردهای محافظ.

    شماره مواد مربوطه

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    پارامترهای مهم

    سمبل پارامتر رتبه بندی واحدها
    VDS ولتاژ منبع تخلیه 20 V
    VGS ولتاژ دروازه-منبع ± 12 V
    ID@Tc=25℃ جریان تخلیه مداوم، VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ جریان تخلیه مداوم، VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM جریان تخلیه پالسی 2 16 A
    PD@TA=25℃ اتلاف توان کل 3 2.1 W
    TSTG محدوده دمای ذخیره سازی -55 تا 150
    TJ محدوده دمای محل اتصال عملیاتی -55 تا 150
    سمبل پارامتر شرایط حداقل تایپ کنید حداکثر واحد
    BVDSS ولتاژ شکست منبع تخلیه VGS=0V، ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ ضریب دمای BVDSS ارجاع به 25℃، ID=1mA --- 0.022 --- V/℃
    RDS(روشن) منبع تخلیه استاتیک روی مقاومت 2 VGS=4.5V، ID=5.5A --- 24 28
           
        VGS=2.5V، ID=3.5A --- 30 45  
    VGS (امین) ولتاژ آستانه گیت VGS=VDS، ID=250uA 0.5 0.7 1.2 V
               
    △VGS (امین) ضریب دمایی VGS(th).   --- -2.33 --- mV/℃
    IDSS جریان نشتی منبع تخلیه VDS=16V، VGS=0V، TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V، VGS=0V، TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS جریان نشتی دروازه-منبع VGS=±12V، VDS=0V --- --- ± 100 nA
    gfs انتقال رسانایی رو به جلو VDS=5V، ID=5A --- 25 --- S
    Rg مقاومت دروازه VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg شارژ کل گیت (4.5 ولت) VDS=10V، VGS=4.5V، ID=5.5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs شارژ گیت منبع --- 1.4 2.0
    Qgd شارژ دریچه تخلیه --- 2.2 3.2
    Td(روشن) زمان تأخیر روشن کردن VDD=10V، VGEN=4.5V، RG=6Ω

    ID=5A، RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr زمان برخاستن --- 34 63
    Td (خاموش) زمان تاخیر خاموش کردن --- 22 46
    Tf زمان سقوط --- 9.0 18.4
    سیس ظرفیت ورودی VDS=10V، VGS=0V، f=1MHz --- 625 889 pF
    Coss ظرفیت خروجی --- 69 98
    Crss ظرفیت انتقال معکوس --- 61 88

  • قبلی:
  • بعد:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید

    تولید - محصولدسته بندی ها