درباره اصل کار ماسفت قدرت

ماسفت های قدرتی به دو صورت کار می کنند:

(1) هنگامی که یک ولتاژ مثبت به D و S اضافه می شود (تخلیه مثبت، منبع منفی) و UGS=0، اتصال PN در ناحیه بدنه P و ناحیه تخلیه N بایاس معکوس می شود و هیچ جریانی بین D عبور نمی کند. و S. اگر یک UGS ولتاژ مثبت بین G و S اضافه شود، هیچ جریان گیتی جریان نخواهد داشت زیرا گیت عایق است، اما یک ولتاژ مثبت در دروازه، حفره ها را از ناحیه P زیر آن دور می کند و الکترون های حامل اقلیت این کار را انجام می دهند. جذب سطح ناحیه P هنگامی که UGS بیشتر از یک ولتاژ مشخص UT باشد، غلظت الکترون در سطح ناحیه P زیر دروازه از غلظت حفره فراتر می رود، بنابراین لایه نیمه هادی نوع P نیمه هادی ضد الگوی لایه N می شود. ; این لایه ضد الگو یک کانال از نوع N را بین منبع و درین تشکیل می دهد، به طوری که اتصال PN ناپدید می شود، منبع و تخلیه رسانا می شود و شناسه جریان تخلیه از طریق درین جریان می یابد. UT ولتاژ روشن یا ولتاژ آستانه نامیده می شود و هر چه UGS بیشتر از UT باشد، قابلیت رسانایی بیشتر است و ID بزرگتر است. هر چه UGS از UT بیشتر باشد، رسانایی قوی تر، ID بیشتر است.

(2) هنگامی که D، S به اضافه ولتاژ منفی (منبع مثبت، تخلیه منفی)، اتصال PN بایاس رو به جلو است، معادل یک دیود معکوس داخلی (ویژگی پاسخ سریع ندارد)، یعنی،ماسفت قابلیت مسدود کردن معکوس ندارد، می تواند به عنوان یک مولفه رسانش معکوس در نظر گرفته شود.

    توسطماسفت اصل عمل دیده می شود، هدایت آن تنها یک حامل قطبی درگیر در رسانا، بنابراین همچنین به عنوان ترانزیستور تک قطبی شناخته می شود. درایو ماسفت اغلب بر اساس منبع تغذیه آی سی و پارامترهای ماسفت برای انتخاب مدار مناسب است، ماسفت به طور کلی برای سوئیچینگ استفاده می شود. مدار درایو منبع تغذیه هنگام طراحی منبع تغذیه سوئیچینگ با استفاده از ماسفت، اکثر مردم مقاومت روشن، حداکثر ولتاژ و حداکثر جریان ماسفت را در نظر می گیرند. با این حال، مردم اغلب فقط این عوامل را در نظر می گیرند تا مدار بتواند به درستی کار کند، اما راه حل طراحی خوبی نیست. برای طراحی دقیق تر، ماسفت باید اطلاعات پارامتر خود را نیز در نظر بگیرد. برای یک ماسفت معین، مدار محرک آن، پیک جریان خروجی درایو و غیره بر عملکرد سوئیچینگ ماسفت تأثیر می گذارد.