تجزیه و تحلیل علل مهم تولید حرارت ماسفت

نوع N، اصل کار ماسفت نوع P در اصل یکسان است، ماسفت عمدتاً به سمت ورودی ولتاژ دروازه اضافه می شود تا با موفقیت سمت خروجی جریان تخلیه را کنترل کند، ماسفت یک دستگاه کنترل ولتاژ است، از طریق ولتاژ اضافه شده به گیت برای کنترل ویژگی‌های دستگاه، بر خلاف تریود برای انجام زمان سوئیچینگ به دلیل جریان پایه ناشی از اثر ذخیره‌سازی شارژ، در برنامه‌های سوئیچینگ، برنامه‌های سوئیچینگ MOSFET،ماسفت ها سرعت سوئیچینگ سریعتر از تریود است.

 

در منبع تغذیه سوئیچینگ، که معمولاً از مدار تخلیه باز ماسفت استفاده می شود، زهکشی همانطور که هست به بار متصل می شود، به نام تخلیه باز، مدار تخلیه باز، بار به میزان ولتاژ بالا وصل می شود، قادر به روشن شدن، خاموش کردن جریان بار، دستگاه سوئیچینگ آنالوگ ایده آل است، که اصل ماسفت برای انجام سوئیچینگ دستگاه ها، ماسفت برای انجام سوئیچینگ در قالب مدارهای بیشتر است.

 

از نظر کاربردهای منبع تغذیه سوئیچینگ، این برنامه نیاز دارد ماسفت ها برای انجام دوره ای، خاموش کردن، مانند منبع تغذیه DC-DC که معمولا در مبدل باک پایه استفاده می شود، برای انجام عملکرد سوئیچینگ به دو ماسفت متکی است، این سوئیچ ها به طور متناوب در سلف برای ذخیره انرژی، آزاد کردن انرژی به بار، اغلب انتخاب می کنند. صدها کیلوهرتز یا حتی بیشتر از 1 مگاهرتز، عمدتاً به این دلیل که هرچه فرکانس بالاتر باشد، اجزای مغناطیسی کوچکتر می شوند. در حین کار عادی، ماسفت معادل یک هادی است، به عنوان مثال، ماسفت های پرقدرت، ماسفت های ولتاژ کوچک، مدارها، منبع تغذیه حداقل تلفات هدایت MOS است.

 

پارامترهای PDF MOSFET، سازندگان ماسفت با موفقیت پارامتر RDS (ON) را برای تعریف امپدانس حالت روشن اتخاذ کرده اند، برای برنامه های سوئیچینگ، RDS (ON) مهمترین مشخصه دستگاه است. برگه های داده RDS (ON) را تعریف می کنند، ولتاژ گیت (یا درایو) VGS و جریان عبوری از سوییچ مرتبط است، برای درایو گیت کافی، RDS (ON) یک پارامتر نسبتاً ایستا است. ماسفت هایی که در رسانایی بوده اند مستعد تولید گرما هستند و افزایش آهسته دمای محل اتصال می تواند منجر به افزایش RDS (ON) شود.ماسفت برگه های داده پارامتر امپدانس حرارتی را مشخص می کنند که به عنوان توانایی اتصال نیمه هادی پکیج ماسفت برای دفع گرما تعریف می شود و RθJC به سادگی به عنوان امپدانس حرارتی اتصال به کیس تعریف می شود.

 

1، فرکانس بیش از حد بالا است، گاهی اوقات بیش از حد حجم را دنبال می کند، به طور مستقیم منجر به فرکانس بالا می شود، ماسفت در از دست دادن افزایش می یابد، گرما بیشتر است، کار خوبی از طراحی اتلاف گرما کافی انجام نمی دهد، جریان بالا، اسمی ارزش فعلی ماسفت، نیاز به اتلاف گرما خوب برای رسیدن به; ID کمتر از حداکثر جریان است، ممکن است گرما جدی باشد، نیاز به هیت سینک های کمکی کافی است.

 

2، خطاهای انتخاب ماسفت و خطاها در قضاوت قدرت، مقاومت داخلی ماسفت به طور کامل در نظر گرفته نمی شود، به طور مستقیم منجر به افزایش امپدانس سوئیچینگ، هنگام برخورد با مشکلات گرمایش ماسفت می شود.

 

3، به دلیل مشکلات طراحی مدار، در نتیجه گرما، به طوری که ماسفت در حالت عملیاتی خطی کار می کند، نه در حالت سوئیچینگ، که علت مستقیم گرمایش ماسفت است، به عنوان مثال، N-MOS سوئیچینگ انجام می دهد، G- سطح ولتاژ باید چند ولت بیشتر از منبع تغذیه باشد، برای اینکه بتوان به طور کامل هدایت کرد، P-MOS متفاوت است. در صورت عدم وجود باز بودن کامل، افت ولتاژ بسیار زیاد است، که منجر به مصرف برق می شود، امپدانس DC معادل بزرگتر است، افت ولتاژ نیز افزایش می یابد، U * I نیز افزایش می یابد، از دست دادن منجر به گرما می شود.