تفاوت بین IGBT و MOSFET

IGBT (ترانزیستور دوقطبی دروازه ایزوله) و ماسفت (ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی) دو دستگاه نیمه هادی قدرت رایج هستند که به طور گسترده در الکترونیک قدرت استفاده می شوند. در حالی که هر دو جزء ضروری در کاربردهای مختلف هستند، اما از جنبه‌های مختلفی با یکدیگر تفاوت دارند. در زیر تفاوت های اصلی بین IGBT و MOSFET آورده شده است:

1. اصل کار

- IGBT: IGBT ویژگی های BJT (ترانزیستور اتصال دوقطبی) و ماسفت را با هم ترکیب می کند و آن را به یک دستگاه هیبریدی تبدیل می کند. پایه BJT را از طریق ولتاژ دروازه یک ماسفت کنترل می کند، که به نوبه خود هدایت و قطع BJT را کنترل می کند. اگرچه فرآیندهای هدایت و قطع یک IGBT نسبتاً پیچیده است، اما دارای تلفات ولتاژ هدایت کم و تحمل ولتاژ بالا است.

- ماسفت: ماسفت یک ترانزیستور اثر میدانی است که جریان را در یک نیمه هادی از طریق ولتاژ گیت کنترل می کند. هنگامی که ولتاژ گیت از ولتاژ منبع فراتر رود، یک لایه رسانا تشکیل می شود که به جریان اجازه می دهد. برعکس، وقتی ولتاژ گیت زیر آستانه باشد، لایه رسانا ناپدید می شود و جریان نمی تواند جریان یابد. عملکرد ماسفت نسبتاً ساده است، با سرعت سوئیچینگ سریع.

2. حوزه های کاربردی

- IGBT: به دلیل تحمل ولتاژ بالا، تلفات ولتاژ هدایت پایین و عملکرد سوئیچینگ سریع، IGBT به ویژه برای کاربردهای پرقدرت و کم تلفات مانند اینورترها، درایورهای موتور، ماشین‌های جوشکاری و منابع تغذیه بدون وقفه (UPS) مناسب است. . در این برنامه ها، IGBT به طور موثر عملیات سوئیچینگ ولتاژ بالا و جریان بالا را مدیریت می کند.

- ماسفت: ماسفت با پاسخ سریع، مقاومت ورودی بالا، عملکرد سوئیچینگ پایدار و هزینه کم، به طور گسترده در برنامه های کم مصرف و سوئیچینگ سریع مانند منابع تغذیه سوئیچ حالت، روشنایی، تقویت کننده های صوتی و مدارهای منطقی استفاده می شود. . ماسفت در کاربردهای کم مصرف و ولتاژ پایین عملکرد فوق العاده ای دارد.