ترانزیستور اثر میدانی به اختصارماسفتدو نوع اصلی وجود دارد: لوله های اثر میدان اتصالی و لوله های اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی. ماسفت همچنین به عنوان یک ترانزیستور تک قطبی شناخته می شود که اکثر حامل ها در رسانایی نقش دارند. آنها دستگاه های نیمه هادی با ولتاژ کنترل می شوند. به دلیل مقاومت بالای ورودی، نویز کم، مصرف انرژی کم و سایر ویژگی ها، آن را به رقیبی قدرتمند برای ترانزیستورهای دوقطبی و ترانزیستورهای قدرت تبدیل می کند.
I. پارامترهای اصلی ماسفت
1، پارامترهای DC
جریان تخلیه اشباع را می توان به عنوان جریان تخلیه مربوط به زمانی تعریف کرد که ولتاژ بین دروازه و منبع برابر با صفر است و ولتاژ بین تخلیه و منبع بیشتر از ولتاژ قطع می شود.
ولتاژ قطع UP: UGS مورد نیاز برای کاهش ID به یک جریان کوچک در زمانی که UDS قطعی است.
ولتاژ روشن UT: UGS برای رساندن ID به مقدار مشخصی در زمانی که UDS قطعی است لازم است.
2- پارامترهای AC
رسانایی فرکانس پایین gm: اثر کنترلی ولتاژ گیت و منبع بر جریان تخلیه را توصیف می کند.
ظرفیت بین قطبی: ظرفیت بین سه الکترود ماسفت، هر چه مقدار آن کوچکتر باشد، عملکرد بهتری دارد.
3، پارامترها را محدود کنید
تخلیه، ولتاژ شکست منبع: هنگامی که جریان تخلیه به شدت افزایش می یابد، هنگام UDS خرابی بهمن ایجاد می کند.
ولتاژ شکست گیت: لوله اثر میدان اتصال عملکرد عادی، دروازه و منبع بین اتصال PN در حالت بایاس معکوس، جریان برای ایجاد خرابی بیش از حد بزرگ است.
II. ویژگی هایماسفت ها
ماسفت عملکرد تقویتی دارد و می تواند یک مدار تقویت شده را تشکیل دهد. در مقایسه با تریود دارای ویژگی های زیر است.
(1) MOSFET یک دستگاه کنترل ولتاژ است و پتانسیل توسط UGS کنترل می شود.
(2) جریان در ورودی MOSFET بسیار کم است، بنابراین مقاومت ورودی آن بسیار بالا است.
(3) پایداری دمایی آن خوب است زیرا از حامل های اکثریت برای هدایت استفاده می کند.
(4) ضریب تقویت ولتاژ مدار تقویت آن کوچکتر از یک تریود است.
(5) در برابر تشعشع مقاوم تر است.
سوم،ماسفت و مقایسه ترانزیستور
(1) منبع ماسفت، دروازه، تخلیه و منبع تریود، پایه، قطب نقطه تنظیم مربوط به نقش مشابه است.
(2) MOSFET یک دستگاه جریان کنترل شده با ولتاژ است، ضریب تقویت کوچک است، توانایی تقویت ضعیف است. triode یک دستگاه ولتاژ کنترل شده با جریان است، توانایی تقویت قوی است.
(3) گیت ماسفت اساسا جریانی را نمی گیرد. و کار سه گانه، پایه جریان خاصی را جذب می کند. بنابراین مقاومت ورودی گیت ماسفت از مقاومت ورودی تریود بیشتر است.
(4) فرآیند رسانایی ماسفت دارای مشارکت پلی ترون است و تریود دارای مشارکت دو نوع حامل پلی ترون و الیگوترون است و غلظت الیگوترون آن به شدت تحت تأثیر دما، تابش و سایر عوامل است، بنابراین ماسفت نسبت به ترانزیستور پایداری دما و مقاومت در برابر تشعشع بهتر است. ماسفت باید زمانی انتخاب شود که شرایط محیطی بسیار تغییر کند.
(5) هنگامی که ماسفت به فلز منبع و زیرلایه متصل می شود، منبع و تخلیه را می توان تعویض کرد و ویژگی ها تغییر زیادی نمی کند، در حالی که وقتی کلکتور و امیتر ترانزیستور مبادله می شود، ویژگی ها و مقدار β متفاوت است. کاهش می یابد.
(6) رقم نویز MOSFET کوچک است.
(7) ماسفت و تریود می توانند از انواع مدارهای تقویت کننده و مدارهای سوئیچینگ تشکیل شوند، اما اولی برق کمتر، پایداری حرارتی بالا، طیف وسیعی از ولتاژ تغذیه مصرف می کند، بنابراین به طور گسترده در مقیاس بزرگ و فوق بزرگ استفاده می شود. مقیاس مدارهای مجتمع
(8) مقاومت روشن ترایود بزرگ است و مقاومت روشن ماسفت کوچک است، بنابراین ماسفت ها معمولاً به عنوان سوئیچ هایی با راندمان بالاتر استفاده می شوند.
زمان ارسال: مه-16-2024
