ساختار فلز-اکسید-نیمه هادی ترانزیستور کریستالی که معمولاً به عنوان شناخته می شودماسفت، که در آن ماسفت ها به ماسفت های نوع P و ماسفت های نوع N تقسیم می شوند. مدارهای مجتمع متشکل از ماسفت ها را مدارهای مجتمع ماسفت نیز می نامند و مدارهای مجتمع ماسفت که از PMOSFET و PMOSFET با هم مرتبط هستند.NMOSFET ها مدارهای مجتمع CMOSFET نامیده می شوند.
ماسفت متشکل از یک بستر نوع p و دو ناحیه پخش‌کننده n با مقادیر غلظت بالا، کانال n نامیده می‌شود.ماسفتو کانال رسانایی ایجاد شده توسط یک کانال رسانای نوع n توسط مسیرهای پخش n در دو مسیر پخش n با مقادیر غلظت بالا در هنگام هدایت لوله ایجاد می شود. ماسفت های n-channel ضخیم شده دارای کانال n هستند که توسط یک کانال رسانا ایجاد می شود، زمانی که یک بایاس جهت مثبت تا حد ممکن در دروازه افزایش می یابد و تنها زمانی که عملکرد منبع دروازه نیاز به ولتاژ کاری بیش از ولتاژ آستانه دارد. ماسفت های تخلیه کانال n آنهایی هستند که برای ولتاژ گیت آماده نیستند (عملکرد منبع گیت نیاز به ولتاژ کاری صفر دارد). ماسفت تخلیه نور کانال n یک ماسفت n کانال است که در آن کانال رسانا زمانی ایجاد می شود که ولتاژ گیت (ولتاژ عملیاتی مورد نیاز منبع دروازه صفر است) آماده نشده باشد.
مدارهای مجتمع NMOSFET مدار منبع تغذیه NMOSFET کانال N، مدارهای مجتمع NMOSFET هستند، مقاومت ورودی بسیار بالا است، اکثریت قریب به اتفاق نیازی به هضم جذب جریان برق ندارند، و بنابراین مدارهای مجتمع CMOSFET و NMOSFET بدون نیاز به اتصال متصل می شوند. مدارهای مجتمع NMOSFET، اکثریت قریب به اتفاق انتخاب مدارهای منبع تغذیه سوئیچینگ مثبت تک گروهی مدارهای منبع تغذیه اکثر مدارهای مجتمع NMOSFET از یک مدار منبع تغذیه سوئیچینگ مثبت منفرد استفاده می کنند. 9 ولت برای بیشتر مدارهای مجتمع CMOSFET فقط باید از همان مدار منبع تغذیه سوئیچینگ مدار منبع تغذیه مانند مدارهای مجتمع NMOSFET استفاده کنند، می توانند بلافاصله با مدارهای مجتمع NMOSFET متصل شوند. با این حال، از NMOSFET به CMOSFET بلافاصله متصل می شود، زیرا مقاومت خروجی NMOSFET کمتر از مقاومت بالاکشی کلید مدار مجتمع CMOSFET است، بنابراین سعی کنید یک تفاوت پتانسیل با مقاومت بالاکش R را اعمال کنید، مقدار مقاومت R برابر است. به طور کلی 2 تا 100KΩ.
ساخت ماسفت های ضخیم شده با کانال N
روی یک بستر سیلیکونی نوع P با مقدار غلظت دوپینگ کم، دو ناحیه N با مقدار غلظت دوپینگ بالا ساخته می‌شوند و دو الکترود از فلز آلومینیوم بیرون کشیده می‌شوند تا به ترتیب به عنوان تخلیه d و منبع s عمل کنند.
سپس در سطح جزء نیمه هادی پوشش یک لایه بسیار نازک از لوله عایق سیلیس، در زهکشی - لوله عایق منبع بین تخلیه و منبع الکترود آلومینیوم دیگری، به عنوان دروازه g.
در زیرلایه همچنین یک الکترود B، که از یک ماسفت ضخیم کانال N تشکیل شده است، خارج کنید. منبع و بستر ماسفت به طور کلی به هم متصل می شوند، اکثریت قریب به اتفاق لوله در کارخانه از مدت ها قبل به آن متصل شده است، دروازه آن و سایر الکترودها بین پوشش عایق بندی شده اند.
زمان ارسال: مه-26-2024
