روش تولید مدار محرکه ماسفت پرقدرت

دو راه حل اصلی وجود دارد:

یکی استفاده از یک تراشه درایور اختصاصی برای به حرکت درآوردن ماسفت، یا استفاده از فتوکوپلرهای سریع، ترانزیستورها مداری را برای به حرکت درآوردن ماسفت تشکیل می دهند، اما اولین نوع رویکرد مستلزم ارائه یک منبع تغذیه مستقل است. نوع دیگر ترانسفورماتور پالس برای به حرکت درآوردن ماسفت و در مدار درایو پالس، چگونگی بهبود فرکانس سوئیچینگ مدار درایو برای افزایش ظرفیت محرک تا حد امکان برای کاهش تعداد قطعات، نیاز فوری است. برای حل کردنمشکلات فعلی.

 

نوع اول طرح درایو، نیم پل به دو منبع تغذیه مستقل نیاز دارد. تمام پل به سه منبع تغذیه مستقل نیاز دارد، هر دو نیم پل و تمام پل، اجزای بیش از حد، که منجر به کاهش هزینه نمی شود.

 

نوع دوم برنامه رانندگی، و ثبت اختراع نزدیکترین هنر قبلی برای نام اختراع "یک توان بالا" است.ماسفت مدار درایو" ثبت اختراع (شماره برنامه 200720309534. 8)، حق ثبت اختراع فقط یک مقاومت تخلیه اضافه می کند تا منبع دروازه شارژ ماسفت پرقدرت را آزاد کند، برای رسیدن به هدف خاموش کردن، لبه سقوط سیگنال PWM بزرگ است. لبه سقوط سیگنال PWM بزرگ است، که منجر به خاموش شدن آهسته MOSFET می شود، تلفات برق بسیار زیاد است.

 

علاوه بر این، برنامه ثبت اختراع کار MOSFET مستعد تداخل است و تراشه کنترل PWM باید قدرت خروجی زیادی داشته باشد که باعث می شود دمای تراشه بالا باشد و بر عمر مفید تراشه تأثیر بگذارد. محتویات اختراع هدف از این مدل کاربردی ارائه یک مدار درایو ماسفت پرقدرت، کار با ثبات تر و صفر برای رسیدن به هدف این اختراع راه حل فنی - یک مدار درایو ماسفت پرقدرت، خروجی سیگنال تراشه کنترل PWM به ترانسفورماتور پالس اولیه متصل است خروجی اول oاگر ترانسفورماتور پالس ثانویه به گیت ماسفت اول وصل شده است، خروجی دوم ترانسفورماتور پالس ثانویه به گیت ماسفت اول وصل شده است، خروجی دوم ترانسفورماتور پالس ثانویه به گیت ماسفت اول متصل است. اولین خروجی ثانویه ترانسفورماتور پالس به گیت ماسفت اول و خروجی دوم ترانسفورماتور پالس ثانویه به گیت ماسفت دوم متصل می شود که مشخصه آن این است که اولین خروجی ترانسفورماتور پالس ثانویه نیز متصل است. به ترانزیستور تخلیه اول و خروجی دوم ترانسفورماتور پالس ثانویه نیز به ترانزیستور تخلیه دوم متصل می شود. سمت اولیه ترانسفورماتور پالس نیز به مدار ذخیره و رهاسازی انرژی متصل است.

 

مدار آزادسازی ذخیره انرژی شامل یک مقاومت، یک خازن و یک دیود است، مقاومت و خازن به صورت موازی و مدار موازی فوق به صورت سری به دیود متصل می شود. مدل کاربردی دارای اثر مفیدی است مدل کاربردی همچنین دارای یک ترانزیستور تخلیه اول متصل به خروجی اول ترانسفورماتور ثانویه و یک ترانزیستور تخلیه دوم متصل به خروجی دوم ترانسفورماتور پالس است، به طوری که هنگامی که ترانسفورماتور پالس خروجی می‌کند، مقدار کم است. در سطح، ماسفت اول و ماسفت دوم را می توان به سرعت تخلیه کرد تا سرعت خاموش شدن ماسفت بهبود یابد و تلفات ماسفت کاهش یابد. سیگنال تراشه کنترل PWM به ماسفت تقویت کننده سیگنال بین خروجی اولیه و پالس متصل می شود. ترانسفورماتور اولیه، که می تواند برای تقویت سیگنال استفاده شود. خروجی سیگنال تراشه کنترل PWM و ترانسفورماتور پالس اولیه برای تقویت سیگنال به ماسفت متصل می شوند که می تواند توانایی هدایت سیگنال PWM را بیشتر بهبود بخشد.

 

ترانسفورماتور پالس اولیه همچنین به مدار آزادسازی ذخیره انرژی متصل است، زمانی که سیگنال PWM در سطح پایینی قرار دارد، مدار آزادسازی ذخیره انرژی انرژی ذخیره شده در ترانسفورماتور پالس را زمانی که PWM در سطح بالایی قرار دارد آزاد می کند و اطمینان حاصل می کند که گیت منبع ماسفت اول و ماسفت دوم بسیار کم است که در جلوگیری از تداخل نقش دارد.

 

در یک پیاده سازی خاص، یک ماسفت کم مصرف Q1 برای تقویت سیگنال بین ترمینال خروجی سیگنال A تراشه کنترل PWM و ترمینال اولیه ترانسفورماتور پالس Tl متصل می شود، اولین ترمینال خروجی ثانویه ترانسفورماتور پالس به آن متصل می شود. گیت اولین ماسفت Q4 از طریق دیود D1 و مقاومت محرک Rl، ترمینال خروجی دوم ثانویه ترانسفورماتور پالس از طریق دیود D2 و مقاومت محرک R2 به گیت ماسفت دوم Q5 متصل می شود. ترمینال اول خروجی ثانویه ترانسفورماتور پالس نیز به اولین تریود تخلیه Q2 و دومین تریود تخلیه Q3 نیز به تریود تخلیه دوم Q3 متصل می شود. ماسفت Q5، اولین ترمینال خروجی ترانسفورماتور پالس ثانویه نیز به ترانزیستور تخلیه اول Q2 و ترمینال دوم خروجی ترانسفورماتور پالس ثانویه نیز به ترانزیستور تخلیه دوم Q3 متصل است.

 

گیت ماسفت اول Q4 به مقاومت تخلیه R3 و گیت ماسفت دوم Q5 به مقاومت تخلیه R4 متصل است. قسمت اولیه ترانسفورماتور پالس Tl نیز به مدار ذخیره و رهاسازی انرژی متصل است و مدار ذخیره و رهاسازی انرژی شامل یک مقاومت R5، یک خازن Cl و یک دیود D3 است و مقاومت R5 و خازن Cl به هم متصل هستند. موازی است و مدار موازی فوق به صورت سری به دیود D3 متصل می شود. سیگنال خروجی PWM از تراشه کنترل PWM به ماسفت کم مصرف Q2 و ماسفت کم مصرف Q2 به ثانویه ترانسفورماتور پالس متصل می شود. توسط ماسفت کم توان Ql تقویت شده و به ترانسفورماتور پالس Tl خروجی می شود. هنگامی که سیگنال PWM بالا است، اولین ترمینال خروجی و ترمینال خروجی دوم از ترانسفورماتور پالس Tl ثانویه سیگنال های سطح بالا را برای هدایت اولین ماسفت Q4 و ماسفت دوم Q5 به سمت هدایت می دهند.

 

هنگامی که سیگنال PWM کم است، اولین خروجی و خروجی دوم از ترانسفورماتور پالس Tl سیگنال های سطح پایین خروجی ثانویه، اولین ترانزیستور تخلیه Q2 و انتقال دوم ترانزیستور تخلیه Q3، اولین ظرفیت منبع گیت MOSFETQ4 از طریق مقاومت تخلیه R3، اولین ترانزیستور تخلیه Q2 برای تخلیه، دومین ظرفیت خازنی منبع دروازه MOSFETQ5 از طریق مقاومت تخلیه R4، ترانزیستور تخلیه دوم Q3 برای تخلیه، دومین منبع دریچه MOSFETQ5 ظرفیت خازنی از طریق مقاومت تخلیه R4، ترانزیستور تخلیه دوم Q3 برای تخلیه، MOSFETQ5 خازن منبع دروازه از طریق مقاومت تخلیه R4، ترانزیستور تخلیه دوم Q3 برای تخلیه. خازن منبع گیت دوم MOSFETQ5 از طریق مقاومت تخلیه R4 و ترانزیستور تخلیه دوم Q3 تخلیه می شود، به طوری که ماسفت Q4 اول و ماسفت دوم Q5 سریعتر خاموش می شوند و تلفات برق کاهش می یابد.

 

هنگامی که سیگنال PWM کم است، مدار آزادسازی انرژی ذخیره شده متشکل از مقاومت R5، خازن Cl و دیود D3 انرژی ذخیره شده در ترانسفورماتور پالس را در زمانی که PWM بالا است آزاد می کند و اطمینان حاصل می کند که منبع دروازه اولین ماسفت Q4 و ماسفت دوم Q5 بسیار کم است، که به هدف ضد تداخل عمل می کند. دیود Dl و دیود D2 جریان خروجی را به صورت یک طرفه هدایت می کنند و در نتیجه کیفیت شکل موج PWM را تضمین می کنند و در عین حال تا حدودی نقش ضد تداخل را نیز ایفا می کنند.