سه پایه G، S و D ماسفت بسته بندی شده به چه معناست؟

دروازه قضاوت G

درایور MOS عمدتاً نقش شکل‌دهی شکل موج و بهبود محرک را ایفا می‌کند: اگر شکل موج سیگنال Gماسفتبه اندازه کافی شیب ندارد، در مرحله سوئیچینگ باعث از دست دادن توان زیادی می شود. اثر جانبی آن کاهش راندمان تبدیل مدار است. ماسفت تب شدید خواهد داشت و به راحتی در اثر گرما آسیب می بیند. ظرفیت خاصی بین MOSFETGS وجود دارد. ، اگر قابلیت هدایت سیگنال G کافی نباشد، به طور جدی بر زمان پرش شکل موج تأثیر می گذارد.

قطب GS را اتصال کوتاه کنید، سطح R×1 مولتی متر را انتخاب کنید، سیم تست مشکی را به قطب S و سرب تست قرمز را به قطب D وصل کنید. مقاومت باید از چند Ω تا بیش از ده Ω باشد. اگر مشخص شود که مقاومت یک پایه مشخص و دو پایه آن بی نهایت است و پس از تعویض لیدهای آزمایش همچنان بی نهایت است، تأیید می شود که این پایه قطب G است، زیرا از دو پایه دیگر عایق است.

منبع S را تعیین کنید و D را تخلیه کنید

مولتی متر را روی R×1k تنظیم کنید و مقاومت بین سه پایه را به ترتیب اندازه بگیرید. برای اندازه گیری مقاومت دو بار از روش سرب تست تبادل استفاده کنید. مقاومتی که مقدار مقاومت کمتری دارد (معمولاً از چند هزار Ω تا بیش از ده هزار Ω) مقاومت رو به جلو است. در این زمان، سرب تست مشکی قطب S و سرب تست قرمز به قطب D متصل می شود. به دلیل شرایط مختلف تست، مقدار RDS(on) اندازه گیری شده بالاتر از مقدار معمولی است که در دفترچه راهنما ارائه شده است.

دربارهماسفت

ترانزیستور دارای کانال نوع N است بنابراین به آن کانال N می گویندماسفت، یاNMOS. FET MOS کانال P (PMOS) نیز وجود دارد که یک PMOSFET است که از یک BACKGATE نوع N کمی دوپ شده و یک منبع و تخلیه نوع P تشکیل شده است.

صرف نظر از نوع N یا نوع P ماسفت، اصل کار آن اساساً یکسان است. ماسفت جریان درین ترمینال خروجی را توسط ولتاژ اعمال شده به گیت ترمینال ورودی کنترل می کند. ماسفت یک دستگاه کنترل ولتاژ است. ویژگی های دستگاه را از طریق ولتاژ اعمال شده به دروازه کنترل می کند. وقتی از ترانزیستور برای سوئیچینگ استفاده می شود، اثر ذخیره بار ناشی از جریان پایه ایجاد نمی کند. بنابراین، در تغییر برنامه ها،ماسفت هاباید سریعتر از ترانزیستور سوئیچ شود.

FET همچنین نام خود را از این واقعیت گرفته است که ورودی آن (به نام گیت) بر جریان عبوری از ترانزیستور با پخش یک میدان الکتریکی بر روی یک لایه عایق تأثیر می گذارد. در واقع هیچ جریانی از این عایق عبور نمی کند، بنابراین جریان GATE لوله FET بسیار کم است.

رایج ترین FET از یک لایه نازک دی اکسید سیلیکون به عنوان عایق زیر دروازه استفاده می کند.

این نوع ترانزیستور را ترانزیستور نیمه هادی اکسید فلزی (MOS) یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (MOSFET) می نامند. از آنجایی که ماسفت ها کوچکتر و کارآمدتر هستند، در بسیاری از کاربردها جایگزین ترانزیستورهای دوقطبی شده اند.