تفاوت بین MOSFET و IGBT چیست؟ Olukey به سوالات شما پاسخ خواهد داد!

زمینه های کاربردی این دو متفاوت است

ساختارهای داخلی MOSFET و IGBT متفاوت است که زمینه های کاربردی آنها را تعیین می کند.

با توجه به ساختار ماسفت، معمولاً می تواند جریان زیادی را به دست آورد که می تواند به KA برسد، اما پیش نیاز قابلیت تحمل ولتاژ به اندازه IGBT قوی نیست. زمینه های کاربردی اصلی آن منابع تغذیه سوئیچینگ، بالاست ها، گرمایش القایی با فرکانس بالا، دستگاه های جوش اینورتر فرکانس بالا، منابع تغذیه ارتباطی و سایر زمینه های منبع تغذیه با فرکانس بالا است.

IGBT می تواند توان، جریان و ولتاژ زیادی تولید کند، اما فرکانس آن خیلی زیاد نیست. در حال حاضر، سرعت سوئیچینگ سخت IGBT می تواند به 100KHZ برسد. IGBT به طور گسترده در ماشین های جوشکاری، اینورترها، مبدل های فرکانس، منابع تغذیه الکترولیتی آبکاری، گرمایش القایی اولتراسونیک و سایر زمینه ها استفاده می شود.

ویژگی های اصلی MOSFET و IGBT

ماسفت دارای ویژگی های امپدانس ورودی بالا، سرعت سوئیچینگ سریع، پایداری حرارتی خوب، جریان کنترل ولتاژ و غیره است. در مدار، می توان از آن به عنوان تقویت کننده، کلید الکترونیکی و سایر اهداف استفاده کرد.

به عنوان یک نوع جدید از دستگاه نیمه هادی الکترونیکی، IGBT دارای ویژگی های امپدانس ورودی بالا، مصرف برق کنترل ولتاژ پایین، مدار کنترل ساده، مقاومت ولتاژ بالا و تحمل جریان زیاد است و به طور گسترده در مدارهای الکترونیکی مختلف استفاده شده است.

مدار معادل ایده آل IGBT در شکل زیر نشان داده شده است. IGBT در واقع ترکیبی از ماسفت و ترانزیستور است. ماسفت مضرات مقاومت بالا را دارد، اما IGBT بر این نقص غلبه می کند. IGBT هنوز در ولتاژ بالا مقاومت روشن کم دارد. .